該產(chǎn)品具有固態(tài)等離子源、分開式反應氣體進氣系統(tǒng)，動態(tài)襯底溫控，全面控制真空系統(tǒng)，采用集中現(xiàn)場控制總線技術(shù)的nobody控制軟件，以及友好用戶操作界面來操作。適用于室溫至1200℃條件下進行的SiO2、SiNx,、 SiONx a-Si薄膜的沉積，同時可實現(xiàn)TEOS源沉積，SiC膜層沉積以及液態(tài)或氣態(tài)源沉積其它材料，尤其適合于有機材料上高效保護層膜和特定溫度下無損傷鈍化膜的沉積。
應用領(lǐng)域
等離子誘導表面改性；
等離子清洗；;
等離子聚合;
表面沉積SiOx、SiNx、非晶硅、微晶硅、納米硅、SiC、類金剛石等多種薄膜;
碳納米管（CNT）的選擇性生長
主要特點
清洗鍍膜一氣呵成，杜絕二次污染；
上開啟結(jié)構(gòu)，式樣觀察方便；
觸屏人機對話整體性操作，安全可靠；;
產(chǎn)品采用全自動控制方式，觸摸屏，數(shù)字化顯示。
真空系統(tǒng)、工作壓強、電源系統(tǒng)及自動匹配、工藝氣體流量、加熱系統(tǒng)、運動系統(tǒng)、工藝過程、系統(tǒng)監(jiān)控及數(shù)據(jù)采集等 |
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