JC-00系列產品是深圳晶材化工有限公司生產的納米拋光液,采用納米技術和超分散設備合成的CMP漿料。產品分別適用于鋁合金鏡面拋光,不銹鋼鏡面拋光,大理石和石材精拋工藝。
主要特點
JC-00系列產品具有表面張力低、易清洗、拋光速率高、拋光鏡面粗糙度低等特點,非常適用于不銹鋼的拋光工藝。直接效果達到不銹鋼鏡面的光線散射減弱,成像更清晰;水紋現象減弱或消除;本品具拋光及鈍化功能,適用于對不銹鋼表面要求高度鏡面效果的產品。在拋光中根據需要可以優化不同配比,均能達到*佳使用效果。
JC-00系列產品綜合了化學和機械拋光的優勢:單純的化學拋光,拋光速率較快,表面光潔度高,損傷低,完美性好,但表面平整度和平行度差,拋光后表面一致性差;單純的機械拋光表面一致性好,表面平整度高,但表面光潔度差,損傷層深。化學機械拋光可以獲得較為完美的表面,又可以得到較高的拋光速率,得到的平整度比其他方法高兩個數量級,是目前能夠實現全局平面化的*一有效方法。
主要用途
JC-005H主要應用于不銹鋼的拋光工藝中。
JC-003H主要用于鋁合金鏡面拋光工藝;
JC-001H主要用于大理石精拋工藝;
基本參數:
pH值 8.5~9.5
比重 1.280-1.295
粘度(稀釋后)< 10.0(mPa.s)
磨料粒徑 100~120(nm)
磨料濃度 40±2%
使用方法
根據工藝將拋光原漿料按一定比例與去離子水混合后使用;根據拋光設備和拋光切削度合理使用拋光液濃度。
運輸及保存
1、運輸與存放過程中要避免光直射。
2、運輸與存放溫度為5℃~50℃。
3、保質期一年,建議半年內使用。
包裝規格 25Kg/桶
化學機械拋光
這兩個概念主要出現在半導體加工過程中,*初的半導體基片(襯底片)拋光沿用機械拋光、例如氧化鎂、氧化鋯拋光等,但是得到的晶片表面損傷是及其嚴重的。直到60年代末,一種新的拋光技術——化學機械拋光技術(CMP Chemical Mechanical Polishing )取代了舊的方法。CMP技術綜合了化學和機械拋光的優勢:單純的化學拋光,拋光速率較快,表面光潔度高,損傷低,完美性好,但表面平整度和平行度差,拋光后表面一致性差;單純的機械拋光表面一致性好,表面平整度高,但表面光潔度差,損傷層深。化學機械拋光可以獲得較為完美的表面,又可以得到較高的拋光速率,得到的平整度比其他方法高兩個數量級,是目前能夠實現全局平面化的*一有效方法。
制作步驟
依據機械加工原理、半導體材料工程學、物力化學多相反應多相催化理論、表面工程學、半導體化學基礎理論等,對硅單晶片化學機械拋光(CMP)機理、動力學控制過程和影響因素研究標明,化學機械拋光是一個復雜的多相反應,它存在著兩個動力學過程:
(1)拋光首先使吸附在拋光布上的拋光液中的氧化劑、催化劑等與襯底片表面的硅原子在表面進行氧化還原的動力學過程。這是化學反應的主體。
(2)拋光表面反應物脫離硅單晶表面,即解吸過程使未反應的硅單晶重新裸露出來的動力學過程。它是控制拋光速率的另一個重要過程。
硅片的化學機械拋光過程是以化學反應為主的機械拋光過程,要獲得質量好的拋光片,必須使拋光過程中的化學腐蝕作用與機械磨削作用達到一種平衡。如果化學腐蝕作用大于機械拋光作用,則拋光片表面產生腐蝕坑、桔皮狀波紋。如果機械磨削作用大于化學腐蝕作用,則表面產生高損傷層。 |
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