世界集成電路的發展歷史：
1947年：貝爾實驗室肖克萊等人發明了晶體管，這是微電子技術發展中*一個里程碑；
1950年：結型晶體管誕生；
1950年： R Ohl和肖特萊發明了離子注入工藝；
1951年：場效應晶體管發明；
1956年：C S Fuller發明了擴散工藝；
1958年：仙童公司Robert Noyce與德儀公司基爾比間隔數月分別發明了集成電路，開創了世界微電子學的歷史；
1960年：H H Loor和E Castellani發明了光刻工藝；
1962年：美國RCA公司研制出MOS場效應晶體管；
1963年：F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技術，今天，95%以上的集成電路芯片都是基于CMOS工藝；
1964年：Intel摩爾提出摩爾定律，預測晶體管集成度將會每18個月增加1倍；
1966年：美國RCA公司研制出CMOS集成電路，并研制出*一塊門陣列（50門）；
1967年：應用材料公司（Applied Materials）成立，現已成為全球*大的半導體設備制造公司；
1971年：Intel推出1kb動態隨機存儲器（DRAM），標志著大規模集成電路出現；
1971年：全球*一個微處理器4004由Intel公司推出，采用的是MOS工藝，這是一個里程碑式的發明；
1974年：RCA公司推出*一個CMOS微處理器1802；
1976年：16kb DRAM和4kb SRAM問世；
1978年：64kb動態隨機存儲器誕生，不足0.5平方厘米的硅片上集成了14萬個晶體管，標志著超大規模集成電路（VLSI）時代的來臨；
1979年：Intel推出5MHz 8088微處理器，之后，IBM基于8088推出全球*一臺PC；
1981年：256kb DRAM和64kb CMOS SRAM問世；
1984年：日本宣布推出1Mb DRAM和256kb SRAM；
1985年：80386微處理器問世，20MHz；
1988年：16M DRAM問世，1平方厘米大小的硅片上集成有3500萬個晶體管，標志著進入超大規模集成電路（VLSI）階段；
1989年：1Mb DRAM進入市場；
1989年：486微處理器推出，25MHz，1μm工藝，后來50MHz芯片采用 0.8μm工藝；
1992年：64M位隨機存儲器問世；
1993年：66MHz奔騰處理器推出,采用0.6μｍ工藝；
1995年:Pentium Pro, 133MHz，采用0.6-0.35μｍ工藝；
1997年：300MHz奔騰Ⅱ問世,采用0.25μｍ工藝；
1999年：奔騰Ⅲ問世，450MHz，采用0.25μｍ工藝，后采用0.18μm工藝；
2000年: 1Gb RAM投放市場；
2000年：奔騰4問世，1.5GHz，采用0.18μｍ工藝；
2001年：Intel宣布2001年下半年采用0.13μｍ工藝。 信息條形碼:8477642471096794
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孫彪
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