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供應IV3Q12013T4Z SiC MOS

供應IV3Q12013T4Z SiC MOS_無錫科微半導體有限司_供應IV3Q12013T4Z SiC MOS

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公　司：無錫科微半導體有限司

發布時間：2024年08月30日

有效期：2025年02月26日

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袁先生先生 (經理)

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電　　話： 0510-88688160 傳　　真：手　　機： 13264812347 地　　址：中國江蘇無錫市無錫市新吳區菱湖大道228號天安智慧城7-1004 郵　　編：
公司主頁：	http://wxkw01.qy6.com.cn(加入收藏)

詳細說明

IV3Q12013T4Z- Gen3 1200V 13.5mΩ Automotive SiC MOSFET
特性
·第三代碳化硅MOSFET技術與+15+18V門驅動
·高阻塞電壓低電阻
·高速開關低電容
·高操作結溫度能力
·非常快，健壯和軟恢復固有身體二極管
·開爾文門輸入緩解驅動電路設計
·AEC-Q101合格
應用
·電動汽車電機驅動器
·太陽能MPPT和逆變器
·高壓直流/直流轉換器
·開關模式電源

瞻芯電子提供以SiC功率器件、SiC驅動芯片、SiC模塊為核心的功率轉換解決方案，適用于：風能逆變、光伏逆變、工業電源、新能源汽車、電機驅動、充電樁等領域

瞻芯電子提供以SiC功率器件、SiC驅動芯片、SiC模塊為核心的功率轉換解決方案，適用于：風能逆變、光伏逆變、工業電源、新能源汽車、電機驅動、充電樁等領域

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